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High power TVS
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Wafer NO.
Type
DIE Size(um)
Scribe lane
Wafer size(inch)
GDPW
Top Metal
PAD Open
Wafer thickness
Back side metal
Operating Voltage
VBR(1mA)
CAP(L-G)
IPP(L-G)
Vc(Max)(L-G)
芯片名称
类型
单科芯片大小
划片槽
芯片尺寸
数量/片
顶层金属
焊盘尺寸
减薄厚度
背面金属
工作电压
击穿电压
电容
电流(8/20)
箝位电压

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